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STW55NM60ND
2016-06-30
标准包装  | 30 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FDmesh?? II |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 51A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 190nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 5800pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 350W |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
