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BSC016N03MSG
2017-04-14
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 28A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 173nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13000pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.6 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
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深圳市中意法电子科技有限公司
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中意法电子连续8年荣获“电子元器件行业十大金牌优质供应商