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CSD18536KTT
2017-04-20
产品种类: MOSFET
制造商: Texas Instruments
RoHS: 否
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 200 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 140 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 312 S
高度: 4.7 mm
长度: 9.25 mm
Pd-功率耗散: 375 W
上升时间: 5 ns
系列: CSD18536KTT
工厂包装数量: 500
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深圳市中意法电子科技有限公司
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