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FCH041N60E
2017-03-13
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
系列 SuperFET? II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 380nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 13700pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 592W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 41 毫欧 @ 39A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
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深圳市中意法电子科技有限公司
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