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IRLML2402TRPBF
2017-03-20
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 15V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 540mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 930mA，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 Micro3?/SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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深圳市中意法电子科技有限公司
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