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STW70N60DM2
2017-04-05
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 66 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 121 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: 1 N-Channel
下降时间: 10.4 ns
Pd-功率耗散: 446 W
上升时间: 67 ns
工厂包装数量: 600
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深圳市中意法电子科技有限公司
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