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FCPF850N80Z
2017-03-29
产品种类: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标名: SuperFET II
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 4.5 ns
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
Pd-功率耗散: 28.4 W
上升时间: 10 ns
系列: FCPF850N80Z
工厂包装数量: 1000
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深圳市中意法电子科技有限公司
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中意法电子连续8年荣获“电子元器件行业十大金牌优质供应商
