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FDP18N50
2017-03-29
产品种类: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
Pd-功率耗散: 38.5 W
上升时间: 165 ns
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深圳市中意法电子科技有限公司
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