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MJD122G
2017-01-13
型号： MJD122G
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 8 A
最大集电极截止电流: 10 uA
Pd-功率耗散: 20 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD122
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
直流电流增益 hFE 最大值: 12000
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
最小工作温度: - 65 C
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深圳市中意法电子科技有限公司
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